VBQF5325
产品特点:二、详细参数说明:- 产品型号:VBQF5325- 品牌:VBsemi- 类型:双 N+P 型 MOSFET- 最大漏极-源极电压(VDS):
产品应用:三、应用举例:该产品适用于多种领域和模块,例如:1. 电源管理:可用于开关电源、稳压器等电源管理模块,
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VBQG5325
产品特点:详细参数说明:- 产品型号:VBQG5325- 品牌:VBsemi- 类型:双N+P沟道场效应晶体管- 额定电压:VDS=±30V,VGS=
产品应用:适用领域和模块举例:- 电源管理模块:可用于低电压电源管理和功率开关控制,适用于移动设备和消费电子产品。- 汽车电子
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VBA5325
产品特点:### 详细参数说明- **产品型号:** VBA5325- **品牌:** VBsemi- **参数:** - **类型:** 双 N 型和 P 型
产品应用:### 应用领域举例1. **功率开关:** VBA5325 可用于功率开关电路中,实现对电路的快速开关和控制,适用
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VBI5325
产品特点:产品型号: VBI5325 品牌: VBsemi 参数: Dual N+P VDS(V): ±30 VGS(±V): 20 Vth(V): 1.6/-1.7 V
产品应用:适用领域和模块举例: 1. 电源管理: VBI5325可用于电源管理系统中的开关电源和功率调节模块,提供稳定的电源
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VBQA5325
产品特点:详细参数说明:- 漏极-源极电压(VDS):±30V- 栅极-源极电压(VGS):±20V- 阈值电压(Vth):1.6V(N型)、-1.7
产品应用:适用领域和模块示例:1. 电源管理:VBQA5325 可用于各种电源管理模块,如电源开关、电源控制、电池管理等,
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VBA5307
产品特点:详细参数说明:- 品牌:VBsemi- 产品型号:VBA5307- 类型:双 N 型和 P 型场效应晶体管- VDS(漏极-源极电压)
产品应用:应用示例:1. 电源逆变器:用于工业和家用逆变器中的功率开关和控制装置。2. 电动汽车控制器:适用于电动汽
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VBE5307
产品特点:详细参数说明:- 额定电压(VDS):±30V- 栅源电压范围(VGS):±20V- 阈值电压(Vth):N沟道:1.8V,P沟道:-1.
产品应用:适用领域和模块示例:1. 电源管理:VBE5307可用于电源管理系统中的DC-DC转换器和稳压器,适用于笔记本电脑、电子产品等
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VBE5410
产品特点:详细参数说明:- 型号:VBE5410- 品牌:VBsemi- MOSFET类型:Common Drain N+P- 漏极-源极电压(VDS):±40V
产品应用:应用领域和模块举例:该产品适用于以下领域和模块:1. 电源管理:用于开关电源、电池管理系统和逆变器等电
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VBE5415
产品特点:**详细参数说明:**- 品牌:VBsemi- 产品型号:VBE5415- MOSFET类型:共源极N沟道和P沟道- 额定电压(VDS)
产品应用:**适用领域和模块举例:**1. **直流电源模块:** VBE5415 可用作功率开关器件,用于各种直流电源模块,
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VBA5410
产品特点:详细参数说明:- 产品型号:VBA5410- 品牌:VBsemi- 类型:双 N+P 型 MOSFET- 最大漏极-源极电压(VDS):±40V
产品应用:应用举例:该产品适用于多种领域和模块,例如:1. 电源管理:可用于开关电源、稳压器等电源管理模块,提供可靠的功
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